CS350H電化學(xué)工作站由高速M(fèi)CU、高精度FET集成電路組成，內(nèi)置DDS數(shù)字信號(hào)合成器、高功率恒電位/恒電流儀、雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器。能完成線性掃描伏安(LSV)、循環(huán)伏安(CV)、階梯波循環(huán)伏安(SCV)、方波循環(huán)伏安(SWV)、差分脈沖伏安(DPV)和常規(guī)脈沖伏安(NPV)以及差分常規(guī)脈沖伏安(DNPV)等電分析方法;還可以完成恒電流(位)極化、動(dòng)電位(流)掃描、任意恒電流(位)方波，多恒電流(位)階躍、零電阻電流計(jì)、電化學(xué)噪聲(電偶電流)、電化學(xué)阻抗(EIS)等電化學(xué)測(cè)試等功能，所有測(cè)量功能均可定時(shí)自動(dòng)進(jìn)行，用于無(wú)人值守下的自動(dòng)測(cè)量。

　　CS350H電化學(xué)工作站可用于較大電流和較高槽壓的電化學(xué)測(cè)量和應(yīng)用，例如電池、電分析、腐蝕、電解、電鍍等。儀器的電流輸出范圍為±2A，槽壓為±21V。電壓控制范圍：±10V;電流控制范圍：±2.0A;電流測(cè)量下限為1pA。

　　CS Studio測(cè)試軟件是CS電化學(xué)工作站的控制平臺(tái)，軟件基于Windows98/ 2000/ XP/win7/8/10操作系統(tǒng)，并遵守Windows軟件設(shè)計(jì)規(guī)則，易于安裝和使用。軟件包括文件管理、實(shí)驗(yàn)方法管理、多坐標(biāo)圖形顯示和縮放、數(shù)據(jù)/圖形的存貯/打印以及交互式幫助等。軟件具有良好的用戶界面，命令窗口所用的詞匯與通用的電化學(xué)術(shù)語(yǔ)保持一致，全中文菜單和界面，方便用戶的教學(xué)和科研工作。

　　CorrTest測(cè)試軟件還具有特別針對(duì)材料和腐蝕電化學(xué)的實(shí)驗(yàn)方法，包括鈍化曲線自動(dòng)或人工反掃，電化學(xué)再活化法，溶液電阻(IR降)測(cè)量和補(bǔ)償法。CS Studio分析軟件則具有完善的數(shù)據(jù)分析功能，可對(duì)伏安曲線進(jìn)行數(shù)字平滑、積分、微分運(yùn)算，能對(duì)極化曲線進(jìn)行電化學(xué)參數(shù)解析，包括極化電阻Rp，Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，腐蝕速率計(jì)算等，還可計(jì)算噪聲電阻Rn和功率譜，并可將圖形以矢量方式拷貝到Microsoft Word 文檔中。

　　CS350H電化學(xué)工作站全部采用USB2.0接口與計(jì)算機(jī)通訊，設(shè)備安裝簡(jiǎn)單，即插即用。

　　外形尺寸：36.5cm(寬)x30.5cm(深)x16cm(高) 儀器重量：6.5Kg

　　應(yīng)用領(lǐng)域 :

　　1)研究電化學(xué)機(jī)理;物質(zhì)的定性定量分析;

　　2)常規(guī)電化學(xué)測(cè)試，包括電合成、電鍍和電池性能評(píng)價(jià);

　　3)功能和能源材料的機(jī)理和制備研究;

　　4)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率快速評(píng)價(jià)以及氫滲測(cè)試等;

　　5)金屬材料在導(dǎo)電性介質(zhì)(包括水/混凝土等環(huán)境)中的腐蝕電化學(xué)測(cè)試。

　　系統(tǒng)配置:

　　每套工作站包括：

　　1) 儀器主機(jī)1臺(tái);

　　2) CS Studio測(cè)試與分析軟件1套;

　　3) 鉑金輔助電極、參比電極、工作電極各1支

　　4) 專用電解池 1套

　　5) 模擬電解池1個(gè);

　　6) USB數(shù)據(jù)線1條;

　　7) 電極電纜線1根;

　　8) 電極架(選配*)

　　9) 屏蔽箱(選配*)

　　技術(shù)參數(shù)：

　　CS350電化學(xué)工作站技術(shù)指標(biāo)

　　1、硬件參數(shù)指標(biāo)：

　　恒電位儀電位控制范圍：±10V

　　電流控制范圍：±2.0A

　　電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV

　　電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)

　　電位分辨率：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)

　　電流分辨率：<1pA

　　電位上升時(shí)間：<1μS(<10mA), <10μS(<2A)

　　輔助數(shù)據(jù)采集16位@1MHz ,20bit@1KHz

　　參比電極輸入阻抗：1012 Ω||20pF

　　電流量程 2nA～2A, 共10檔

　　槽壓：±21V

　　CV 和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s

　　CA和CC脈沖寬度：0.0001～1000s

　　電位掃描時(shí)電位增量：0.1mV@1V/mS

　　SWV頻率：0.001～100KHz

　　DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s

　　AD數(shù)據(jù)采集：16位@1MHz，24bit @100Hz

　　CV的最小電位增量：0.075mV

　　電位和電流測(cè)量低通濾波器:8段可編程

　　電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置

　　2、電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)：

　　信號(hào)發(fā)生器

　　頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz

　　交流信號(hào)幅值：1mV~2500mV

　　直流偏壓：-10~+10V

　　DDS輸出阻抗：50Ω

　　波形：正弦波，三角波，方波

　　正弦波失真：<1%

　　掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降

　　最大負(fù)載電容：1nF;最大負(fù)載電感：10uH

　　信號(hào)分析器

　　積分時(shí)間：最小值：10mS 或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間

　　最大值：106個(gè)循環(huán)或者105S

　　測(cè)量時(shí)間延遲：0~105秒

　　直流偏置補(bǔ)償

　　電位自動(dòng)補(bǔ)償范圍：-10V~+10V

　　電流補(bǔ)償范圍：-1A~+1A

　　帶寬調(diào)整(Bandwidth)：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置，共8級(jí)可調(diào)